H-terminated n-Si(111):H surfaces in contact with an aqueous electrolyte exhibit electronically active states, due to hydrogen interdiffused in the n-Si(111):H subsurface region, which allow for charge charge transfer, as, e.g., Cu electrodeposition at electron depleted n-Si(111):H surfaces. A scanning tunneling microscope (STM) was utilised for generating localised electric fields on the nanoscale at the n-Si(111):H surface to study their influence on Co electrodeposition. These fields modify the H-termination and allow for localised Co electrodeposition. The position of localised electrodeposition can be varied by the STM and allows for the creation of nanostructures.     «

H-terminated n-Si(111):H surfaces in contact with an aqueous electrolyte exhibit electronically active states, due to hydrogen interdiffused in the n-Si(111):H subsurface region, which allow for charge charge transfer, as, e.g., Cu electrodeposition at electron depleted n-Si(111):H surfaces. A scanning tunneling microscope (STM) was utilised for generating localised electric fields on the nanoscale at the n-Si(111):H surface to study their influence on Co electrodeposition. These fields modify...     »

H-terminierte n-Si(111) Oberflächen in Kontakt mit einem wässrigen Elektrolyten weisen elektronisch aktive Zustände auf, die von oberflächennahem Wasserstoff in n-Si(111):H herrühren und Ladungstransfer an elektronenverarmten n-Si(111):H Oberflächen (z.B. Cu Elektrodeposition) ermöglichen. Mittels eines Rastertunnelmikroskopes (RTM) wurden auf den Nanometerbereich lokalisierte, elektische Felder an der n-Si(111):H Oberfläche erzeugt und deren Einfluß auf die Elektrodeposition von Co untersucht. Diese Felder modifizierten die H-Terminierung und ermöglichten lokalisierte Co Elektrodepositon, wobei durch das RTM die Position der lokalisierten Elektrodepositon variiert und Nanostrukturen erzeugt werden konnten.     «

H-terminierte n-Si(111) Oberflächen in Kontakt mit einem wässrigen Elektrolyten weisen elektronisch aktive Zustände auf, die von oberflächennahem Wasserstoff in n-Si(111):H herrühren und Ladungstransfer an elektronenverarmten n-Si(111):H Oberflächen (z.B. Cu Elektrodeposition) ermöglichen. Mittels eines Rastertunnelmikroskopes (RTM) wurden auf den Nanometerbereich lokalisierte, elektische Felder an der n-Si(111):H Oberfläche erzeugt und deren Einfluß auf die Elektrodeposition von Co untersucht....     »