Energieauflösende Siliziumdriftdetektoren (SDDs) haben verglichen mit anderen Halbleiterdetektoren viele herausragende Eigenschaften, niederenergetische Röntgenstrahlung generiert jedoch wegen der unvollständigen Ladungssammlung im Detektoreintrittsfenster einen hohen Untergrund. Um dessen Ursachen zu ermitteln, wurde die spektrale Antwort eines SDDs auf niederenergetische Röntgenstrahlung quantitativ modelliert und gemessen. Bei der Modellrechnung werden alle Wahrscheinlichkeiten für Photo-, Auger-Elektronen- und interne Fluoreszenzprozesse exakt berücksichtigt und die geometrische Verteilung der Ladungsträger berechnet. Die spektrale Antwort des SDDs wurde mit monochromatischer Undulatorstrahlung des Elektronensynchrotrons BESSY II im Energiebereich bis 2 keV gemessen. Die Meßergebnisse werden von dem Modell präzise wiedergegeben. Als Hauptursache des Untergrunds wurden Verluste von thermalisierten Elektronen identifiziert.     «

Energieauflösende Siliziumdriftdetektoren (SDDs) haben verglichen mit anderen Halbleiterdetektoren viele herausragende Eigenschaften, niederenergetische Röntgenstrahlung generiert jedoch wegen der unvollständigen Ladungssammlung im Detektoreintrittsfenster einen hohen Untergrund. Um dessen Ursachen zu ermitteln, wurde die spektrale Antwort eines SDDs auf niederenergetische Röntgenstrahlung quantitativ modelliert und gemessen. Bei der Modellrechnung werden alle Wahrscheinlichkeiten für Photo-, Au...     »

Energy dispersive Silicon Drift Detectors (SDDs) show a superior performance compared with other semiconductor detectors, but low energy X-rays generates an undesirable high background due to incomplete charge collection (ICC) in the entrance window. To investigate the reasons for charge losses, a discrete analytic calculation is performed. All loss mechanisms (partial or full loss of both, photo and/or Auger electrons) due to diffusion into the aluminum dead layer are considered. In order to verify the model, measurements with monochromatic X-rays in the 0.2 to 2 keV energy range were conducted at BESSY II. The observed spectral features like shelf, shoulder, and tail are explained by the model. The main reason for ICC is the escape of thermalized electrons at metalization-silicon-interface.     «

Energy dispersive Silicon Drift Detectors (SDDs) show a superior performance compared with other semiconductor detectors, but low energy X-rays generates an undesirable high background due to incomplete charge collection (ICC) in the entrance window. To investigate the reasons for charge losses, a discrete analytic calculation is performed. All loss mechanisms (partial or full loss of both, photo and/or Auger electrons) due to diffusion into the aluminum dead layer are considered. In order to ve...     »