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- Originaltitel:
- Nichtstationäres Rauschen im Zell-Transistor-Kontakt durch quantisierte Ionenströme
- Übersetzter Titel:
- Nonstationary noise in the cell-chip junction by quantized ion currents
- Autor:
- Becker-Freyseng, Christoph
- Jahr:
- 2012
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- Fakultät für Physik
- Betreuer:
- Fromherz, Peter (Prof. Dr.)
- Gutachter:
- Fromherz, Peter (Prof. Dr.); Simmel, Friedrich (Prof. Dr.)
- Sprache:
- de
- Fachgebiet:
- PHY Physik
- Kurzfassung:
- Über Analyse des nichtstationären Rauschens wird die quantisierte Antwort von Electrolyte-Oxide-Semiconductor Feldeffekttransistoren auf Ströme von Ionenkanälen nachgewiesen. Ein spannungsabhängiger Kaliumkanal wird in tsA201 Zellen exprimiert, die auf rauscharmen EOSFETs adhärieren und mittels Patch-Clamp depolarisiert werden. Durch Modellierung des Zell-Chip-Kontakts als Kern-Mantel-Leiter wird das Rauschen der Gatespannung auf den quantisierten Membranstrom zurückgeführt.
- Übersetzte Kurzfassung:
- By nonstationary noise analysis the quantized response of electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistors to currents of ion channel is revealed. A voltage gated potassium channel is stably overexpressed in tsA201 cells. They adhere on low-noise EOSFETs and are depolarized using voltage clamp. By modeling the cell-chip junction as a core-coat conductor the noise of the gate voltage can be attributed to the quantized membrane current.
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1100620
- Eingereicht am:
- 23.04.2012
- Mündliche Prüfung:
- 20.07.2012
- Dateigröße:
- 18670587 bytes
- Seiten:
- 151
- Urn (Zitierfähige URL):
- https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20120720-1100620-1-6
- Letzte Änderung:
- 30.07.2012
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